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據(jù)報道，韓國首爾國立大學（SNU）的研究團隊成功在100nm的藍寶石納米薄膜上生長出Micro LED陣列。

據(jù)論文顯示，SNU的材料科學和工程系團隊設計出一種藍寶石納米薄膜陣列，用于生長尺寸為4μm × 16μm的Micro LED陣列。這種方法無需經(jīng)過等離子蝕刻工藝就能夠實現(xiàn)Micro LED芯片的單片化，提供更高的外量子效率（EQE）。

圖片來源: 《科學報告》/SNU

相比在平面基板上生長的氮化鎵基Micro LED，在藍寶石納米薄膜上生長Micro LED的新方法將Micro LED的位錯密度降低了59.6%，內量子效率（IQE）提高了44%。此外，由此方法生長出的Micro LED的光致發(fā)光能力是前者的3.3倍。

同時，還可以通過機械力破壞藍寶石納米薄膜，因此，可輕易將Micro LED與基板分離并轉移至顯示驅動背板上，簡化了制程，降低了成本。

研究團隊認為，此技術突破克服了現(xiàn)階段Micro LED制造工藝的局限，將加快Micro LED顯示技術的商業(yè)化進程。

據(jù)悉，研究結果已發(fā)表在《科學報告》（Scientific Reports）雜志上。除了SNU研究者以外，三星尖端技術研究院（Samsung Advanced Institute of Technology）、韓國科學技術院（KAIST）以及韓國光子技術研究所（Korea Photonics Institute）也參與了這項技術研究，并獲得三星未來技術推廣中心（Samsung Future Technology Promotion Center）、韓國教育部BK21 Plus項目及韓國研究基金會（Korea Research Foundation）的支持。