在國際顯示器技術學會“16th International Display Workshops（IDW '09）”有源矩陣顯示器會議上，夏普的微晶硅-TFT液晶面板成了這次關注的焦點（論文序號AMD-2）。5年前，微晶硅-TFT在“SID（Society for Information Display）”學會上也曾名噪一時，但由于實際生產困難，最近幾乎銷聲匿跡。此次，隨著夏普親自試制面板，在面板中安裝掃描驅動電路和非晶Si（a-Si）TFT難以配備的多路分配器（DeMUX：De-multiplexer）電路，再配合新聞發布會上的演示，外界對于“實際投產”的期待隨之點燃。
TFT的遷移率為1.5cm2/Vs左右，數字雖然不大，但據稱可靠性有大幅提升，可以應用于有機EL面板用TFT底板和DeMUX電路。如果設計得當，120Hz驅動2K×4K面板也能夠實現。由于只需優化等離子CVD的成膜條件即可，因此，第10代（底板尺寸2880mm×3130mm）a-Si TFT生產線也可以采用。這樣，微晶硅-TFT就有望與氧化物TFT分庭抗禮，成為“新一代TFT的首選”。使用該TFT試制有機EL面板時，誤差和可靠性能夠達到什么程度？這一點十分令人期待。
該試制面板的參數如下。
屏幕尺寸 對角線12.1英寸
像素 WXGA（1280×RGB×800）
掃描驅動電路 內置
1：3 DeMUX電路 內置
驅動IC總數 2個
根據推測，該TFT沒有特別顯眼的耀斑和串擾，像素TFT特性良好。夏普在后續發表（論文序號AMD2-2）中還表示，通過結合準分子激光退火，微晶硅-TFT的特性（使遷移率達到2.2cm2/Vs）得到了提升。
低溫多晶硅（p-Si）TFT方面，臺灣統寶光電（TPO Displays ）發表了借助面板內置型光電二極管實現背照燈自動亮度補償功能的TFT液晶面板（論文序號AMD1-3）。p-i-m(metal)結構的堆棧型a-Si光電二極管利用低溫p-Si TFT制造工藝形成于面板內。光電二極管的動態范圍達到了5～5.5萬勒克斯，能充分保證自動亮度補償功能的工作裕度。而且，a-Si光電二極管采用p-i-m結構代替了p-i-n結構，這使得工程量的增加降到了最小。面板內置有配備工作閾值自我校正功能的比較器，只需完成控制器的初期設定，就能夠充分抑制面板間亮度補償靈敏度的偏差。
隨著驅動IC價格雪崩，板上系統的成本意義（即內置驅動電路的意義）正在消失，對于面臨此局面的低溫p-Si TFT，這是一場能夠帶來新附加值的現實性發表。而且，該光電二極管還能夠應用于內嵌式觸摸屏。希望這在不遠的將來能夠實現。
AMD會議上還有很多關于低溫p-Si TFT的有趣發表。東芝移動顯示器發表了內置3bit像素內存，借助亞像素電極面積的二進制加權實現D-A轉換的板上系統（論文序號AMD1-1）。夏普發表了利用PNLC將驅動頻率降低至1Hz，通過配合內置像素內存實現96×96像素10～30μW超低功耗的板上系統（論文序號AMD1-2）。臺灣友達光電（AUO）發表了內置非揮發性內存的低溫p-Si TFT液晶面板（論文序號AMD1-4L）。（日經BP社）
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